于是，王建国安排下去，让老张带着小刘和小陈等研究员，马上开始按照这份方案里的方法开始做前期准备。
另外，还得把里面的区熔提纯装置给制造出来，准备原材料，准备工业硅。
王建国没让所有人都参与进来，剩下的大部分，他都让他们继续锗晶体管的研究，做好两手准备。
……
在王建国的安排下，研究所高效运转了起来。
在接下来的一周，半导体研究所的工作强度非常高。
张教授带着两名年轻的研究员，经过夜以继日的赶工，终于将区熔提纯装置给组装了起来。
这玩意其实并不复杂，主要是由一个高温加热装置、一个缓慢旋转的夹具，还有一套精密的温度控制系统组成。
至于原理也非常简单，就是让一个加热环在硅棒上缓慢地移动，将上面的所有杂质都赶到硅棒的另一端，然后把那一端给切掉。
重复这个过程六七次，就能得到高纯度的硅单晶了。
这是江源给出的方案上写的内容。
但是他们研究所实际操作起来，仍旧有非常大的难度，
尤其是温度控制系统，这里要精确到几摄氏度以内，难度非常大，而且移动速度要保持均速平稳，硅棒的旋转也得要稳定。
这里的任何一个环节出现了一点小问题，可能就会导致整根硅棒的浪费。
完成了设备的组装后，张教授等人开始测试。
随着加热环的亮起，橙红色的光芒照在硅棒上，温度计上的数字不断跳动攀升。
当温度达到一千四百一十摄氏度时，硅棒开始融化，形成了一个耀眼的熔区。
并且旁边的加热环以每小时五厘米的速度缓慢移动，将熔区从硅棒的一端推向到另一端。
张教授等人紧张地盯着温度计和速度表上的参数。
整个过程持续了六个多小时，终于才完成了第一遍区熔工作。
但是现在还只是第一遍而已，按照江源的方案，重复个六到七次区熔加工，才能达到他们要求的纯度。
所以接下来的几天，张教授带着团队每天重复这个过程。
每完成一遍区熔后，就取一块样品去化验检测杂质的含量。
第一遍的杂质浓度从千分之一降低到了万分之一，第二遍降到了十万分之一，第三遍成功降到了百万分之一，直到第四遍，他们降到了八百万分之一。
张教
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